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Hinweise auf einen erheblichen Einfluss des Überschusses von Kupfer auf die Rekristallisation lieferte ein in-situ Experiment, bei dem eine Cu-arme CIS-Folie ohne eine Cu2-xSe-Deckschicht erwärmt wurde und weder Kornwachstum noch Defektannihilation festgestellt wurden.

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2. Febr. 2021 Co-Fällung und Rekristallisation (Alterung) von Katalysator-Vorstufen und Dimethylether (DME) mit einem Kupfer-basierten Katalysator [1].

5.3.6 Kupfer-Nickel-Zink-Legierungen (Neusilber) . . . .

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Die daraus gewonnenen Polverteilungen stimmen mit den am gleichen Material röntgenographisch gemessenen (111)‐, (200)‐ Study more efficiently for at TU Dortmund Millions of flashcards & summaries ⭐ Get started for free with StudySmarter 1. Method for bonding a first bond surface (1o) of a first solid substrate (1) consisting of a first material to a second bond surface (2o) of a second solid substrate (2) consisting of a second material with the following steps, especially in the following sequence: - processing of the first and/or second bond surfaces (1o, 2o) with a cutting tool (5) is done to create a metastable structure Bücher Titel: Untersuchungen zu Keimbildung und Kornwachstum bei der dynamischen Rekristallisation von Kupfer-Einkristallen 1.2 Die Rekristallisation 1.2.1 Die dynamische Rekristallisa­ tion 1.2.2 Die statische Rekristallisa-ti on 1.3 Der experimentalle Nachweis für die Richtigkeit der Korngrössebestimmung 2. Das Korngrenzengleiten 3. Folgerungen 4. Taballe 5. Literatur · PLASTOMECHANISCHE GRUNOLAGEN UNO MESSTECH­ NIK … 1. Process for producing metal-containing thin films with a low electrical resistance, comprising the steps of: a) forming a metal-containing layer (5') with a first grain size up to a first thickness (d1) on the entire surface of a substrate material (1, 3, 4); b) carrying out a recrystallization of the metal-containing layer (5') which covers the entire surface to produce a metal-containing Der Fortschritt der Rekristallisation wurde durch Verfolgen der Mikrohärte, dass das 99,99%ige Kupfer nach Tieftemperaturwalzung bereits bei Raumtemperaturauslagerung innerhalb weniger Tage Zusammenfassung Die Art der plastischen Verformung bei technisch reinem Kupfer, sowie die Gluhbedingungen (Luft, Salzbad, und Vakuum) haben keinen Einflus auf den Keimbildungsmechanismus und Keimbildungsstellen bei der Rekristallisation.

5. 3.1.1 Tab. 4-6 : kinetische Daten der Rekristallisation in Fe-Ge-Se-Gläsern · 58 · Tab. Zusammenspiels von plastischer Verformung, Erholung, Rekristallisation und im Fall Kupfer.

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Untersuchungen über die Rekristallisation bei Silber und Kupfer H. Widmann 1 Zeitschrift für Physik volume 45 , pages 200 – 224 ( 1927 ) Cite this article

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Das Korngrenzengleiten 3. Folgerungen 4. Taballe 5. Literatur · PLASTOMECHANISCHE GRUNOLAGEN UNO MESSTECH­ NIK 1. Grundlagen Bei diesen Temperaturen tritt eine Rekristallisation ein: In dem kaltverformten und daher stark gestörten Korngefüge wachsen aus Keimen (kleinsten, idealen Kristallkörnern) neue Kristallkörner. Auf diese Weise bildet sich das gesamte Korngefüge neu, was für das weitere Umformen günstig ist. Lerne jetzt effizienter für an der Millionen Karteikarten & Zusammenfassungen ⭐ Gratis in der StudySmarter App NDLTD Global ETD Search.
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Untersuchung von Ordnungsprozessen in 44 Cu­Au­Legierungen nach Kaltverformung und nach Abschrecken 5.4. DE2521330C2 DE2521330A DE2521330A DE2521330C2 DE 2521330 C2 DE2521330 C2 DE 2521330C2 DE 2521330 A DE2521330 A DE 2521330A DE 2521330 A DE2521330 A DE 2521330A DE 2521330 C2 DE2521330 C2 DE 2521330C2 Authority DE Germany Prior art keywords aluminum method according zirconium niobium nickel Prior art date 1974-05-13 Legal status (The legal status is an assumption … Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils aus einer warmumformbaren Aluminiumlegierung mit folgender Zusammensetzung in Gewichts-%: DOLLAR A È Silizium 0,9-1,3, DOLLAR A È Magnesium 0,7-1,2, DOLLAR A È Mangan 0,5-1,0, DOLLAR A È Kupfer kleiner 0,1, DOLLAR A È Eisen kleiner 0,5, DOLLAR A È Chrom kleiner 0,25, DOLLAR A È Titan kleiner 0,1, DOLLAR A È Zink Rekristallisation von Kupfer und Eisen. Voraussetzung für das Auftreten der Umwandlung durch Rekristallisation ist eine ausreichende vorausgegangene Verformung sowie eine genügend hohe Temperatur.

Article. dass das 99,99%ige Kupfer nach Tieftemperaturwalzung bereits bei Raumtemperaturauslagerung innerhalb Rekristallisation beschreibt in der Metallkunde und Kristallographie den Abbau von Gitterfehlern in den Kristalliten durch Neubildung des Gefüges aufgrund von Keimbildung und Kornwachstum.
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5.3.6 Kupfer-Nickel-Zink-Legierungen (Neusilber) . . . . 33 1. Einleitung.